RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link