RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link