RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
50
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
50
Velocità di lettura, GB/s
13.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link