RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link