RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link