Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 29

Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.7 13.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

17.8 9.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2423 3963

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns