RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3963
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link