RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1967
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link