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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
8.8
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
2108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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