Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 8.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 13.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.9 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2245 left arrow 2432
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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