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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2245
2432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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