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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2245
2432
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