RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
90
Intorno -246% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
1,140.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
90
26
Velocità di lettura, GB/s
2,699.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,140.4
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
436
2192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link