RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
90
Около -246% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.1
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
2192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link