RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link