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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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