RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
37
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
37
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link