RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
37
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
37
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link