Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 32
    Intorno 25% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16 left arrow 14.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 12.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 14.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 13.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2925 left arrow 2918
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti