RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link