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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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