RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
38
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link