RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
24
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link