RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link