RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno 8% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
26
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3635
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link