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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
70
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
70
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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