RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
41
Velocità di lettura, GB/s
16.0
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link