RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Jinyu 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Jinyu 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Jinyu 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Jinyu 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
24
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Jinyu 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
21
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Jinyu 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link