Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905315-117.A00LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905315-117.A00LF 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9905315-117.A00LF 1GB

Kingston 9905315-117.A00LF 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 48
    Intorno 50% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 1,915.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 6400
    Intorno 3% larghezza di banda superiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 16
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905315-117.A00LF 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 48
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 4,441.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 1,915.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2925 left arrow 609
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