RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link