RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2469
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link