RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
38
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2472
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link