RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
33
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3740
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link