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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2627
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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