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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3567
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
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