RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
41
Velocità di lettura, GB/s
16.0
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link