RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
34
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
34
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link