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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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