RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link