RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
26
Velocità di lettura, GB/s
16.0
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link