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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno 59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
59
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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