RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link