RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Super Talent F24EA8GS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Super Talent F24EA8GS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
92
Intorno 74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Super Talent F24EA8GS 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
92
Velocità di lettura, GB/s
16.0
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link