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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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