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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3076
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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