RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2950
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link