RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
73
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link