RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link