RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
3096
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link