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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
2456
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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