RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
11.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
2277
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link