RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
3650
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link